Fuld opløsning(1.500 × 1.050 billedpunkter, filstørrelse: 30 KB, MIME-type: image/png)


Denne fil er fra Wikimedia Commons

Beskrivelse

Beskrivelse Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Dato
Kilde own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6
Forfatter Cyril BUTTAY
Tilladelse
(Genbrug af denne fil)
as licensed

Licensering

Jeg, dette værks ophavsretsindehaver, udgiver hermed værket under den følgende licens:
GNU head Tilladelse er givet til at kopiere, distribuere og/eller ændre dette dokument under betingelserne i GNU Free Documentation License', Version 1.2 eller enhver senere version udgivet af Free Software Foundation; uden et invariant afsnit, ingen forsidetekster, og ingen bagsidetekst. En kopi af licensen er inkluderet i afsnittet GNU Free Documentation License.
w:da:Creative Commons
kreditering deling på samme vilkår
Denne fil er udgivet under Creative Commons Kreditering-Del på samme vilkår 3.0 Ikke-porteret-licensen.
Du må frit:
  • at dele – at kopiere, distribuere og overføre værket
  • at remixe – at tilpasse værket
Under følgende vilkår:
  • kreditering – Du skal give passende kreditering, angive et link til licensen, og oplyse om der er foretaget ændringer. Du må gøre det på enhver fornuftig måde, men ikke på en måde der antyder at licensgiveren godkender dig eller din anvendelse.
  • deling på samme vilkår – Hvis du bearbejder, ændrer eller bygger videre på dette værk, skal du distribuere dine bidrag under den samme eller en kompatibel licens som originalen.
Denne licens blev tilføjet som en del af GFDL-licensopdateringen.
w:da:Creative Commons
kreditering deling på samme vilkår
Denne fil er udgivet under Creative Commons Navngivelse – Del på samme vilkår 2.5 Generisk, 2.0 Generisk og 1.0 Generisk-licensen.
Du må frit:
  • at dele – at kopiere, distribuere og overføre værket
  • at remixe – at tilpasse værket
Under følgende vilkår:
  • kreditering – Du skal give passende kreditering, angive et link til licensen, og oplyse om der er foretaget ændringer. Du må gøre det på enhver fornuftig måde, men ikke på en måde der antyder at licensgiveren godkender dig eller din anvendelse.
  • deling på samme vilkår – Hvis du bearbejder, ændrer eller bygger videre på dette værk, skal du distribuere dine bidrag under den samme eller en kompatibel licens som originalen.
Du kan vælge den licens du foretrækker.
 
PNG Rastergrafik blev lavet med Gnuplot. .

-V{_{th}}=7 V' at 9.8,47 right

set label 4 '6 V' at 9.8,37.5 right set label 5 '5 V' at 9.8,26.5 right set label 6 '4 V' at 9.8,17.4 right set label 7 '3 V' at 9.8,10.5 right set label 8 '2 V' at 9.8,5.5 right set label 9 '1 V' at 9.8,2.5 right

  1. The model is basically that of a mosfet, with a diode in series
  2. Drain current in linear region

linear(vds,vgsvth)=2*vgsvth*vds-vds**2

  1. Drain current in saturation region

saturation(vds,vgsvth)=vgsvth**2

  1. Drain current

draincurrent(vds,vgsvth)=(vds>vgsvth?saturation(vds,vgsvth):linear(vds,vgsvth))

  1. limit between saturation and linear regions

limit(vds)=vds**2

  1. diode forward voltage:

Vf(t,vgsvth)=2*0.026*log(draincurrent(t,vgsvth)/10e-8)

set output "IvsV_IGBT.eps" set parametric set sample 2000

  1. this is totally non physical: we calculate the current in the drain of the mosfet,
  2. then use this value to calculate the voltage drop in the diode, and then plot Vf+voltage
  3. on the x-axis, and the current on the y-axis. Then, I divide the voltage across the MOSFET
  4. by an arbitrary factor (4) to get a steeper curve.

plot [0:40 ][0:10][0:50] Vf(t,1)+t/4,draincurrent(t,1) ls 1 title ,\

	Vf(t,2)+t/4,draincurrent(t,2) ls 1 title ,\
	Vf(t,3)+t/4,draincurrent(t,3) ls 1 title ,\

Vf(t,4)+t/4,draincurrent(t,4) ls 1 title ,\

	Vf(t,5)+t/4,draincurrent(t,5) ls 1 title ,\
	Vf(t,6)+t/4,draincurrent(t,6) ls 1 title ,\
	Vf(t,7)+t/4,draincurrent(t,7) ls 1 title 

}}

Captions

Tilføj en kort forklaring på en enkelt linje om hvad filen viser

Elementer som er med i denne fil

afbilder

Filhistorik

Klik på en dato/tid for at se filen som den så ud på det tidspunkt.

Dato/tidMiniaturebilledeDimensionerBrugerKommentar
nuværende29. jun. 2006, 00:13Miniature af versionen fra 29. jun. 2006, 00:131.500 × 1.050 (30 KB)CyrilB~commonswiki{{Information |Description=Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |Source=own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6 |Date=28/06/2006 |Author=Cyril BUTTAY |P

Den følgende side bruger denne fil:

Global filanvendelse

Følgende andre wikier anvender denne fil: