Versionen fra 16. sep. 2020, 20:31 redigér Glenn (diskussion \| bidrag) Administratorer 128.630 edits m +illus ← Gå til forrige forskel		Versionen fra 31. okt. 2020, 14:30 redigér fjern redigering Glenn (diskussion \| bidrag) Administratorer 128.630 edits m wiki Gå til næste forskel →
Linje 9: [[Fil:BFQ34 Philips bottom NPN silicon transistor.jpg\|thumb\|Undersiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34.]] En '''bipolar transistor''' ('''BJT''', '''''Bipolar Junction Transistor''''') er en af flere [[transistor]]typer, som er elektriske komponenter ~~lavet~~indlejret ~~af [[halvleder]]faststof og formet som~~i en [[~~elektronisk chip\|chip~~mikrochip]] og pakket ind i et [[hus]] med typisk tre [[Elektrisk tilledning\|tilledning]]er (også kaldet [[Tilledningsben\|ben]]). ~~Deres~~bipolare transistorers formål i næsten al [[elektronik]] er at forstærke elektriske signaler ([[analog]] styring) eller fungere som en [[elektrisk kontakt]] ([[digital]] styring). Den bipolare transistor var den fremherskende ind til midten af [[1970'erne]], da den er væsentligt mindre krævende at fremstille end [[felteffekttransistor]]en, som dog i dag antalsmæssigt er mere udbredt end den bipolare transistor undtagen til særlige anvendelser.

Bipolar transistor: Forskelle mellem versioner