MOSFET: Forskelle mellem versioner
Content deleted Content added
Glenn (diskussion | bidrag) +{{Commonscat|MOS|MOS(FET)}} |
Glenn (diskussion | bidrag) +graf, ændr, tilføj |
||
Linje 16:
===Faststofopbygning===
[[Billede:MOSFET_tværsnit.png|thumbnail|Tværsnit af en NMOSFET (NMOS) med vandret kanal.]]▼
MOSFETten består af en kanal [[n-type halvleder|n-type]] eller [[p-type halvleder|p-type]] halvledermateriale og bliver henholdsvis kaldet en NMOSFET eller en PMOSFET. Almindeligvis anvendes halvlederen [[silicium]], men nogle chip-fabrikanter, især [[IBM]], er begyndt at anvende [[legering]]en af silicium og [[germanium]] (SiGe) i MOSFET kanalerne. Der findes halvledere med bedre elektriske egenskaber end silicium, som f.eks. [[galliumarsenid]], men disse kan ikke danne den gode gate-oxid ([[Siliciumdioxid|SiO<SUB>2</SUB>]]) og kan derfor ikke umiddelbart anvendes til MOSFET-fremstilling.
Line 21 ⟶ 22:
===MOSFET operation===
[[Image:IvsV_mosfet.png|thumbnail|300px|Eksempel på karateristik for en MOSFET:<br>x-akse V<sub>DS</sub>.<br>y-akse I<sub>DS</sub>.<br>Kurver for hver fastholdt V<sub>GS</sub>-V<sub>th</sub> (normalt anvendes alene V<sub>GS</sub>).<br>Den stiplede linje er pinch-off-kurven.<br>Cut-off kurverne (V<sub>GS</sub> < V<sub>th</sub> = -1V, -2V...) er alle ekstremt tæt på y=0.]]
▲[[Billede:MOSFET_tværsnit.png|thumbnail|Tværsnit af en NMOSFET (NMOS) med vandret kanal.]]
En MOSFETs anvendelse kan deles i 3 arbejdsområder (NMOSFET)
Line 27 ⟶ 28:
*1. Cut-off. <math>V_{GS} < V_{th}</math> hvor <math>V_{th}</math> er MOSFETtens tærskelspænding (en. threshold voltage).
**Der er ingen elektrisk ledning mellem drain og source (undtagen en svag utilsigtet lækstrøm).
*2. Det lineare arbejdsområde eller [[triode]]arbejdsområdet (gammel betegnelse). Source-drain virker hovedsageligt som en [[ohmsk modstand]]: Når <math>V_{GS} > V_{th}</math> og <math>|V_{DS}| < V_{GS} - V_{th}</math>. Det egentlige tilnærmelsesvise lineare arbejdsområde er når <math>V_{GS} > V_{th}</math> og <math>|V_{DS}| << V_{GS} - V_{th}</math>, hvor "<<" står for meget større end. Det er lige omkring [[origo]]. Her er graferne tæt på at være linjer (lineare).
**MOSFETten tillader nogen ledning mellem drain og source. Strømmen fra drain til source er; modelligning: <math>I_d = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(2(V_{GS}-V_{th})V_{DS}-V_{DS}^2)</math>
*3. Mætning (en. saturation): Når <math>V_{GS} > V_{th}</math> og <math>V_{DS} > V_{GS} - V_{th}</math>
| |||