Kapacitetsdiode: Forskelle mellem versioner
Content deleted Content added
Glenn (diskussion | bidrag) |
Glenn (diskussion | bidrag) |
||
Linje 20:
== Alle halvlederkomponenter har kapacitetsdiodevirkning ==
Faktisk er det sådan, at ''alle'' [[MOSFET]], [[Felteffekttransistor|FET]], [[diode]]r<ref>[http://www.geocities.com/zl2pd/Varicap.html ZL2PD Hunts for Varicap Diodes], [http://www.google.com/search?q=cache:www.geocities.com/zl2pd/Varicap.html Google side cache uden billeder]</ref> og [[transistor]]ers parasitiske/utilsigtede [[elektrisk kapacitet|kapaciteter]] virker som kapacitetsdioder - tænk også på den berømte/berygtede miller-kapacitetsvirkning mellem kollektor og basis. De ændrer kapacitet som funktion af spændingen over diode, gate-source, gate-drain og drain-source-strækninger.
Et eksempel er i denne [[superregenerative modtager]]. [[Elektrisk svingningskreds|Svingningskredsen]] afstemmes af en almindelig 1 amperes effekt[[diode]] 1N4004, der anvendes som kapacitetsdiode.
| |||