Versionen fra 13. feb. 2010, 14:48 redigér Glenn (diskussion \| bidrag) Administratorer 128.630 edits småændr ← Gå til forrige forskel		Versionen fra 13. feb. 2010, 15:01 redigér fjern redigering Glenn (diskussion \| bidrag) Administratorer 128.630 edits +kilderef Gå til næste forskel →
Linje 4: Faktisk er alle uindpakkede dioder fotofølsomme overfor en bølgelængde, der svarer til eller er mindre end halvlederbåndgabet i NP-overgangen eller PIN-overgangen. Når en diode absorberer fotoner med en egnet bølgelængde vil dioden fungere som en strømgenerator, der er stort set proportional med lysstyrken. Det er NP-zonen som under fotonabsorptionen genererer en elektron og et "hul" (fravær af elektron). Elektronerne vil hobe sig op ved [[anode]]siden - og "hullerne" ved [[katode]]siden af PN-overgangen. En effektiv [[lysdiode]] fungerer også som en retningsbestemt fotodiode, men med det areal som lysdiodens linsetværsnit har. En [[solcellediode]] er "blot" en gigantisk fotodiode.<ref name="hyperphysics"/> [[Image:Photodiode symbol.svg\|right\|250px\|thumb\|Skematisk symbol for en fotodiode.]] Linje 13: ==Fotodiode med bias (forspænding)== Denne anvendelsestilstand gør at fotodioden reagerer hurtigere på lysændringer. Dette er nyttig i f.eks. [[optisk fiber]] modtagere. Fotostrømmen er nogenlunde lineart afhængig af lysstyrken. <ref name="hyperphysics">[http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Electronic/photdet.html HyperPhysics: Photodetectors]</ref> ==Bølgelængdefølsomhed==

Fotodiode: Forskelle mellem versioner