Versionen fra 7. mar. 2013, 01:42 redigér Addbot (diskussion \| bidrag) Botter 151.154 edits m Bot: Migrerer 88 interwikilinks, som nu leveres af Wikidata på d:q5295 ← Gå til forrige forskel		Versionen fra 6. apr. 2013, 21:56 redigér fjern redigering 188.183.0.176 (diskussion) →‎Statisk og dynamisk RAM Gå til næste forskel →
Linje 14: Der findes forskellige måder at lave denne type hukommelse på, og i grove træk skelner man mellem ''dynamisk'' og ''statisk'' RAM: * I '''dynamisk RAM''' eller '''DRAM''', "huskes" hver bit af en [[Elektrisk kondensator\|kondensator]], som lades op eller "tømmes" for [[elektrisk ladning]] alt efter om pågældende bit skal være "0" eller "1". Fordelen ved denne type RAM er, at der kræves færre komponenter (blot én enkelt kondensator) pr. bit "lagerplads" end i statisk RAM, men da kondensatorerne har en ganske lille [[Elektrisk kapacitet\|kapacitet]] og i praksis ikke kan gøres helt tabsfri, vil de opladede kondensatorer "glemme" deres indhold i løbet af ganske få [[millisekund]]er. Derfor kræver dynamisk RAM et såkaldt '''refreshing-kredsløb''', som med ganske korte intervaller læser hver eneste bit, og sørger for at "genfylde" de ladede kondensatorer. * '''Statisk RAM''' eller '''SRAM''', består afafgfgfg en [[Flip-flop (digital elektronik)\|flip-flop]] for hver [[bit]] der skal kunne "opbevares". Det kræver flere komponenter for den samme mængde "data-lagerplads" end dynamisk RAM, og vil derfor være dyrere. Det nødvendige [[mikrochip]] areal er typisk en faktor 4 større for samme teknologi stade. Til gengæld kræves der ikke noget kredsløb til refreshing. [[Kategori:Integrerede kredsløb]]

RAM: Forskelle mellem versioner