Insulated-gate bipolar transistor
(Omdirigeret fra IGBT)
Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.
Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.
Se også
redigérEksterne henvisninger
redigér- About the inventors Arkiveret 20. september 2006 hos Wayback Machine
- Device physics information from the University of Glasgow
- Spice model for IGBT
Spire Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |