Aktiv-pixel-sensor: Forskelle mellem versioner
Content deleted Content added
m →Pixel: linkret |
m bot: ret månedsnavn i dato; kosmetiske ændringer |
||
Linje 18:
[[Fil:aps pd pixel schematic.svg|thumb|right|250px|En 3-transistor (3T) aktiv-pixel-sensor.]]
En standard CMOS APS pixel består i dag af en [[fotodetektor]] (en [[J-FET]] photogate eller 'pinned' photodiode), en ''transfer gate'', en ''reset gate'', en ''selection gate'' og en source-følger udlæsningstransistor -- den såkaldte 4T-celle.
3T pixel-sensoren anvendes stadig ofte, da den har mindre fabrikationskrav. Én transistor, M<sub>rst</sub>, anvendes som en kontakt til "nulstilling" af pixelen. Når denne transistor "tændes", bliver fotodiodens katode forbundet til forsyningsspændingen, V<sub>RST</sub>, som fjerner eventuel ladning. Da reset-transistoren er en n-type, arbejder pixelen i soft reset.
Linje 42:
| title = The Infrared and Electro-Optical Systems Handbook, Volume 3 - Electro-Optical Components
| publisher = The International Society for Optical Engineering
| date =
| chapter = Chapter 5 - Readout electronics for infrared sensors
| url = http://stinet.dtic.mil/stinet/XSLTServlet?ad=ADA364023
Linje 57:
| pages = pages 108–119
| publisher = The International Society for Optical Engineering
| date =
| url = http://link.aip.org/link/?PSISDG/2226/108/1
| doi = 10.1117/12.178474 }}
Linje 70:
| pages = pages 1682–1700
| publisher = The International Society for Optical Engineering
| date =
| url = http://link.aip.org/link/?OPEGAR/30/1682/1
| doi = 10.1117/12.55996 }}
| |||