RAM: Forskelle mellem versioner

4 bytes tilføjet ,  for 4 år siden
m
ingen redigeringsopsummering
m (Gendannelse til seneste version ved Nico, fjerner ændringer fra 176.22.251.82 (diskussion | bidrag))
mNo edit summary
== Statisk og dynamisk RAM ==
Der findes forskellige måder at lave denne type hukommelse på, og i grove træk skelner man mellem ''dynamisk'' og ''statisk'' RAM:
* I '''dynamisk RAM''' eller '''DRAM''', "huskes" hver bit af en [[Elektrisk kondensator|kondensator]], som lades op eller "tømmes" for [[elektrisk ladning]] alt efter om pågældende [[bit]] skal være "0" eller "1". Fordelen ved denne type RAM er, at der kræves færre komponenter (blot én enkelt kondensator) pr. bit "lagerplads" end i statisk RAM, men da kondensatorerne har en ganske lille [[Elektrisk kapacitet|kapacitet]] og i praksis ikke kan gøres helt tabsfri, vil de opladede kondensatorer "glemme" deres indhold i løbet af ganske få [[millisekund]]er. Derfor kræver dynamisk RAM et såkaldt '''refreshing-kredsløb''', som med ganske korte intervaller læser hver eneste bit, og sørger for at "genfylde" de ladede kondensatorer.
* '''Statisk RAM''' eller '''SRAM''', består af en [[Flip-flop (digital elektronik)|flip-flop]] for hver [[bit]] der skal kunne "opbevares". Det kræver flere komponenter for den samme mængde "data-lagerplads" end dynamisk RAM, og vil derfor være dyrere. Det nødvendige [[mikrochip]] areal er typisk en faktor 4 større for samme teknologi stade. Til gengæld kræves der ikke noget kredsløb til refreshing.
{{autoritetsdata}}
48

redigeringer